机译:采用AlN层间方案在Si(111)上生长的无裂纹GaN中,埋入式裂纹在缓解应变中的作用
机译:在没有AlN中间层的si(111)衬底上生长的高质量无裂纹GaN膜
机译:AlGaN / GaN多量子阱与GaN模板之间的应变控制AlN / GaN超晶格中间层中埋藏裂纹的外延演化
机译:使用低温ALN层间在Si(111)上的无裂缝高质量GaN的生长:观察Aln中间层中的倾斜域结构
机译:层间应力吸收复合材料(ISAC),用于减轻沥青混凝土外墙的反射裂缝。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:使用Aln / Algan Supertrices用于应变管理的易于厚厚的Algan在蓝宝石上生长
机译:(111)取向硅上生长的六方GaN,alN和alxGa1-xN的微拉曼散射:裂纹的应力映射